15 2020/05

1800℃真空气氛炉

真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于电炉的炭化试验。该炉采用硅钼棒加热，日本岛电程序控温仪控制，温控仪可设定40段程...

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15 2020/05

1700℃真空气氛炉

真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于电炉的炭化试验。该炉采用硅钼棒加热，日本岛电程序控温仪控制，温控仪可设定40段程...

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15 2020/05

1600℃真空气氛炉

真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺，也可用于电炉的炭化试验。该炉采用硅钼棒加热，日本岛电程序控温仪控制，温控仪可设定40段程...

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15 2020/05

1700℃管式气氛炉

这款1700℃管式炉以硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统...

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15 2020/05

1400℃管式气氛炉

这款管式炉以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，用流量计控制进气流量炉管两端...

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15 2020/05

1200℃滑动管式炉

单温区快速加热、冷却滑动管式炉这款管式炉炉底安装一对滑轨，可用手动滑动。加热和冷却速率设计大可达100°C/min。为取得设计快加热，可以预先加热炉子到设定的温度，然后...

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15 2020/05

1200℃管式气氛炉

1200℃开启式管式炉以电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和智能化程序控温系统，可控硅控制，控温精度高；双层炉壳间配有风冷系统，有效降低炉壳表面温度；结合我司标准真...

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15 2020/05

1200℃坩埚电阻炉

这款坩埚电阻箱式炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，30分...

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15 2020/05

1700℃下拉式电阻炉

该SGM下拉式电阻炉外观小巧,辐射小，以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和厦门宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升...

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15 2020/05

1400℃下拉式电阻炉

该SGM下拉式电阻炉外观小巧,辐射小，以质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和厦门宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升...

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15 2020/05

1200℃下拉式电阻炉

这款上拉式箱式炉以铁烙铝电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和厦门宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，30分钟...

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15 2020/05

1700℃箱式电阻炉(马弗炉)

这款箱式炉以1800型硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用日本进口1800型氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷...

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15 2020/05

1400℃箱式电阻炉(马弗炉)

这款箱式炉以硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，移相触发、可控硅控制，炉膛采用1600型氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升...

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15 2020/05

1200℃箱式电阻炉（马弗炉）

这款箱式炉以瑞典康泰尔电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，30分钟内能达...

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15 2020/05

1700℃Mini箱式电阻炉

该SGM箱式电阻炉外观小巧，以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和厦门宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，6...

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15 2020/05

1400℃Mini箱式电阻炉

该SGM箱式电阻炉外观小巧，以质硅碳棒为加热元件，采用双层壳体结构和厦门宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，6...

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15 2020/05

1100℃Mini箱式电阻炉

这款Mini箱式炉以铁烙铝电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和厦门宇电30段程序控温系统，炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料，双层炉壳间配有风冷系统，能快速升降温，30分钟内...

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15 2020/05

1700℃Mini管式炉

该SGM管式炉外观小巧，以质硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，过零触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，炉管两端能不锈钢法兰密封，不锈...

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15 2020/05

1200℃Mini管式炉

该SGM管式炉外观小巧，以质电阻丝为加热元件，采用双层壳体结构和30段程序控温仪表，过零触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，炉管两端能不锈钢法兰密封，不锈钢...

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15 2020/05

1700℃三温区管式炉

这款管式炉以硅钼棒为加热元件，采用双层壳体结构和宇电控温仪表，能进行30段程序控温，移相触发、可控硅控制，炉膛采用氧化铝多晶纤维材料，用流量计控制进气流量炉管两端...

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