这款1700℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快...
了解详情+这款1600℃气氛箱式炉以硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快...
了解详情+这款1400℃气氛箱式炉以硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快...
了解详情+这款气氛箱式炉以高电阻质合金丝0Cr27Al7Mo2为加热元件,采用双层壳体结构和宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有...
了解详情+这款1700℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、升降温度...
了解详情+这款1600℃氢气管式炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、升降温度...
了解详情+这款1400℃氢气管式炉以质硅碳棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶纤维材料,具有温场均衡、表面温度低、升降温度...
了解详情+PECVD系统由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点: 1、(可选配)高真空系统由...
了解详情+PECVD系统由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点: 1、(可选配)高真空系统由...
了解详情+PECVD系统由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点: 1、高真空系统由双级旋片真...
了解详情+PECVD系统由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。 主要功能和特点: 1、高真空系统由双级旋片真...
了解详情+PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反...
了解详情+这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温...
了解详情+这款坩埚气氛炉以质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温...
了解详情+真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺,也可用于电炉的炭化试验。该炉采用硅碳棒加热,日本岛电程序控温仪控制,温控仪可设定40段程...
了解详情+真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺,也可用于电炉的炭化试验。该炉采用硅碳棒加热,日本岛电程序控温仪控制,温控仪可设定40段程...
了解详情+真空电阻炉用于在1800℃以下半导体器件、金属材料的热处理和还原性烧结等工艺,也可用于电炉的炭化试验。该炉采用电阻丝加热,日本岛电程序控温仪控制,温控仪可设定40段程...
了解详情+皮拉尼式电阻式真空计,并带有控制功能 测量范围为10 -4 -1000 Torr. 在测量腔体真空度为10 -4 - 10 -3 Torr前必须进行零点校准,否则,显示真空度会有较大的偏...
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