1800℃立式退火炉为半导体材料专用设备,立式退火炉采用立式结构设计,为立式真空退火炉,可通入氮气、一氧化碳、氩气等保护气体。
立式退火炉主要用于半导体硅晶片的退火、具有控温精度高、温度场均衡、升降温速率快、可靠性高等特点,是制作半导体硅晶片材料的必备工艺设备
1、设计温度:1800℃
2、常用温度:1700℃
3、供电电源:AC380V±10%,3相4线, 50Hz
4、加热元件:硅钼棒
5、适用烧结气氛:氮气、一氧化碳、氩气
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