PECVD系统由管式炉，石英真空室、真空系统、供气系统、射频电源系统等组成。PECVD系统增加功能容易，可扩展等离子清洗刻蚀等功能，PECVD系统薄膜沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高等点。

PECVD应用范围

PECVD系统主要应用于金属薄膜，陶瓷薄膜等，复合薄膜，石墨烯等生长。

PECVD系统主要特点：

通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。

PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。

可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。

PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。

广泛应用于：各种薄膜的生长，如：SiOx,SiNx,SiOxNy和无定型硅(a-Si:H)等。

PECVD系统技术参数：

炉膛尺寸60/80/100/120*400mm（直径*加热区）

机器电源AC220V，50/60Hz；额定功率5kw

炉体结构双层壳体风冷结构

炉膛材质真空吸附成型的质高纯氧化铝纤维固化炉膛，保温性能好

炉膛设计炉体采用台阶式拼装构造，炉门和炉门框采用整体设计，有效的保证了炉膛的不塌顶，炉门和炉门框的紧密配合使热能不易散失和增长了炉门部分的使用寿命。

温控系统温度控制系统采用人工智能调节技术，具有PID调节、自整定功能，并可编制30段升降温程序；控温精度±1℃

真空度10-1pa

显示模式宇电数显

加热元件电阻丝

测温元件K型热电偶，测量范围[0-1300°C]

使用温度设计温度1200℃，连续工作温度≤1100℃

升温速度推荐≤10℃/min，设计快升温速度15℃/min

外形尺寸以设计为准

产品认证本产品通过了欧盟CE认证和ISO9001：2008质量管理体系认证

执行标准GB/T10066.1-2004、GB/T10067.4-2005

标准配置主机1台，真空机组一套，射频电源1套，供气系统1套，坩埚钳1把，高温手套一副、说明书、合格证、保修卡各1份

PECVD系统射频电源技术参数

PECVD系统供气系统技术参数

pecvd全称 

Plasma Enhanced Chemical Vaper Deposition 等离子体增强型化学气相沉积。

pecvd 中文：

等离子增强化学气相淀积; 等离子增强型化学气相沉积; 等离子体化学气相淀积; 等离子体增强化学气相沉积系统; 等离子体增强型化学气相淀积;

RF-PECVD所需的气体?

RF-PECVD需要用到硅烷，硅烷容易自燃。可采用双层管、304不锈钢无缝管。

频增强等离子体化学气相淀积（RF-PECVD）

等离子体化学气相淀积是在低压化学气相淀积的同时，利用辉光放电等离子对过程施加影响，在衬底上制备出多晶薄膜。这种方法是日本科尼卡公司在1994年提出的，其等离子体的产生方法多采用射频法，故称为RF-PECVD。其射频电场采用两种不同的耦合方式，即电感耦合和电容耦合

采用RF-PECVD技术制备薄膜时，为了实现低温淀积，必须使用稀释的硅烷作为反应气体，但淀积速度有限。

VHF-PECVD技术由于VHF激发的等离子体比常规的射频产生的等离子体电子温度更低、密度更大，因而能够大幅度提高薄膜的淀积速率，在实际应用中获得了更广泛的应用。

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