二硫化钼CVD系统是由SGM TF50-12CVD双温区管式炉,SGM TF50-4硫粉预热器(双温区管式炉与预热器可滑动),质量流量计供气系统,机械式真空泵等组成。
硫粉预热器采用管内测控温以保证在250℃以下,稳定控制硫蒸汽的蒸发时机和蒸发温度。真空机组装有真空粉尘过滤器以保护机械式真空泵不被硫粉尘损坏。采用耐腐蚀电阻电容复合真空计(在1000Pa以上测量不受气体种类影响,耐硫蒸气腐蚀),通过调节真空蝶阀的开启程度调节炉管内压力稳定,在1200℃以下的工艺温度稳定气相沉积二硫化钼等二维化合物材料。
硫粉预热器 |
电炉型号:SGM TF50-4 工作温度:350℃ 设计温度:400℃ 升温速率:<30℃/min 推荐升温速率:10℃/min 控温方式:智能化30段可编程控制 工作电压:AC220 V 额定功率:800W 控温精度:±1℃ 加热元件:电阻丝 |
双温区 硫化炉 |
电炉型号:SGM TF50-12CVD 技术参数: 额定功率(KW):3 额定电压(V):AC220v 50/60 Hz 设温度(℃):1200(1 hour) 持续工作温度(℃):1100 升温速率(℃/min):≤50 炉管尺寸(mm): 高纯石英管Φ50×1500mm 加热区长度(mm):440mm 恒温区长度(mm):200mm 控温方式:模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能 控温精度(℃):±1 加热元件:电阻丝 |
供气系统 |
三路质量流量计混气室 重量:35Kg 外形尺寸:600x600x650mm 连接头类型:双卡套不锈钢接头。
标准量程(N2标定):50sccm、200sccm、500sccm; 准确度:±1.5% 线性:±0.5~1.5% 重复精度:±0.2% 响应时间:气特性:1~4 Sec,电特性:10 Sec 工作压差范围:0.1~0.5 MPa 上限压力:3MPa 接口:Φ6,1/4'' 显示:4位数字显示 工作环境温度:5~45高纯气体 内外双抛不锈钢管:Φ6 压力真空表:-0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格 截止阀:Φ6 |
低真空机组 |
技术参数: 空气相对湿度≤85%, 工作电电压:220V±10% 50~60HZ 功率:1千瓦 抽气速率:4L/s 极限真空:4X10-2Pa 实验真空度:1.0X10-1Pa 容油量:1.1L 进气口口径:KF25 排气口口径:KF25 转速:1450rpm 噪音:50dB 外型尺寸:450×180×240mm |
配真空粉尘过滤器,DN25手动蝶阀用于控制炉管内压力,INFICON PCG554复合真空计 |
钼酸钠梅花
在用Si片蒸发沉积,然后硫化在目标衬底上形成二维材料二硫化钼,由于进气口漏气,导致硫粉被氧化使得CVD(化学气相沉积)无法获得二硫化钼.
使用CVD方法合成了垂直堆叠的VS2–VS超晶格,化学气相沉积法(CVD)方法直接生长的钒(V)基二维超晶格中的异质本征超晶格结构。
通过CVD方法生长出高度结晶的多层二硫化钼(MoS2)薄片
使用cvd技术合成二硫化钼过程中会产生大量废气,其中主要为酸性气体(hcl和hf)和氮氧化物(nox),若不加以处理就排放,会对大气环境造成污染,实验室中制备二硫化钼时,废气通常使用排气装置直接排除,但废气中的酸性气体会腐蚀排气管道。
用于CVD合成二硫化钼过程的废气处理设备可用于cvd合成二硫化钼过程的废气处理装置。
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