koh刻蚀硅，KOH是微纳实验室常见的刻蚀液之一，如单晶硅电池表面绒面话处理、硅片表面V型槽刻蚀、金字塔或者倒金字塔结构刻蚀等应用。防护措施硅的刻蚀速率在不同的温度和刻蚀液浓度下刻蚀速率是不同的。

通过FAS和标准浆料晶片的碱性溶液中的蚀刻速率随时间、温度和不同的预清洗过程的变化，结果显示，氢氧化钾浓度的最大蚀刻率在20-30wt%左右。

经过23%氢氧化钾浓度处理的表面的反射率较低，而粗糙度较好的表面的反射率较低。

23%重量浓度的氢氧化钾减薄抛光工艺提供了较光滑的表面，并且氢氧化钾处理也提供了较低的反射。通过改变晶片的表面粗糙度来提高其少数寿命。

在使用氢氧化钾（KOH）腐蚀炉时需要做好安全防护，氧化钾晶片氧化钾(potassiumoxide)是碱性氧化物。分子式为K2O,无色立方晶体。密度2.32g/cm3,350℃分解,易潮解,易溶于水并跟水化合生成氢氧化钾。

氢氧化钾（KOH）有块状和片状两种，溶于水放出大量热。

氢氧化钾有强烈腐蚀性。吸入后强烈刺激呼吸道或造成灼伤。皮肤和眼直接接触可引起灼伤，一旦眼睛或皮肤接触到氢氧化钾，迅速将受伤部位以水不断冲洗15分钟以上；口服会灼伤消化道，可致命。
KOH湿法刻蚀在湿台上操作需要完整的个人防护设备（PVC围裙、面罩和长袖手套）。

呼吸系统防护：必要时佩带防毒口罩。

眼睛防护：戴化学安全防护眼镜。

防护服：穿工作服(防腐材料制作)。

手防护：戴橡皮手套（合成橡胶）。

其它：工作后，淋浴更衣。注意个人清洁卫生。

泄漏应急处理

隔离泄漏污染区，周围设警告标志，建议应急处理人员戴好防毒面具，穿化学防护服。不要直接接触泄漏物，用洁清的铲子收集于干燥净洁有盖的容器中，以少量加入大量水中，或通入二氧化碳或者弱酸，调节至中性，再放入废水系统。也可以用大量水冲洗，或通入二氧化碳或者弱酸，经稀释的洗水放入废水系统。如大量泄漏，收集回收或无害处理后废弃

急救措施

皮肤接触：立即用水冲洗至少15分钟有条件的用弱酸清洗伤口（如醋酸、硼酸）。若有灼伤，就医治疗。

眼睛接触：立即提起眼睑，用流动清水或生理盐水冲洗至少15分钟。或用3%硼酸溶液冲洗。就医。

吸入：迅速脱离现场至空气新鲜处。必要时进行人工呼吸。就医。

食入：患者清醒时立即漱口，口服稀释的醋或柠檬汁，就医。灭火方法：雾状水、砂土、二氧化碳。

应急处理：隔离泄漏污染区，限制出入。建议应急处理人员戴防尘面具（全面罩），穿防毒服。勿使泄漏物与还原剂、有机物、易燃物或金属粉末接触。不要直接接触泄漏物。小量泄漏：用洁净的铲子收集于干燥、洁净、有盖的容器中。大量泄漏：收集回收或运至废物处理场所处置。

氢氧化钾腐蚀炉

KOH腐蚀炉介绍

KOH腐蚀炉主要应用于KOH腐蚀实验，可用于对晶圆片进行生产、研究和使用等单位。

KOH腐蚀炉系统由温控器和腐蚀炉组成，考虑腐蚀炉内有强腐蚀气体挥发，所以温控器与炉体之间通过数据线和加热线连接，保持约两米左右的距离，以便操作时的安全。

KOH 刻蚀清洗机