1200℃PECVD管式炉
PECVD系统由开启式单(双)温区管式炉、高真空分子泵系统、射频电源、压强控制仪及多通道高精度数字质量流量控制系统组成。
主要结构特点:
1、高真空系统由双级旋片真空泵和分子泵组成,额定真空可达0.0001Pa;
2、可配合压强控制仪控制气体压力实现负压的精准控制;
3、 通过射频电源实现辉光放电等方法,产生等离子体;
4、数字质量流量控制系统是由多路质量流量计,流量显示仪等组成,实现气体的流量的精密测量和控制;每条气体管路均配备高压逆止阀,保证系统的安全性和连续均匀性。
5、采用KF快速法兰密封,装卸方便快捷;管路采用世界顶级Swagelok卡套连接,不漏气;
6、超温、过压时,自动切断加热电源及流量计进气,使用安全可靠。
PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体,辉光放电等离子体中:电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍,使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有点,工艺流程简单。
主要技术参数:
电炉型号 |
SGMT-1200-60-PECVD |
炉体结构 |
双层壳体结构,配有风冷系统 |
炉膛材质 |
日本技术真空吸附成型的质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛,保温性能好 |
炉管材质 |
高纯石英管;可选外径Φ40/50/60/80/100*1200/1500mm |
密封法兰 |
不锈钢快速挤压密封法兰 |
温控系统 |
温度控制系统采用人工智能调节技术,具有PID调节、自整定功能,并可编制30段升降温程序;控温精度±1℃ |
显示模式 |
仪表面板显示 |
加热元件 |
质电阻丝0Cr27Al7Mo2 |
测温元件 |
K型热电偶(可选购增加内置热电偶,实时监测加热物料温度) |
使用温度 |
额定温度1200℃,连续工作温度≤1150℃ |
升温速度 |
推荐≤10℃/min,设计快升温速度30℃/min |
降温速度 |
700℃以上≤10℃/min |
恒温区 |
加热区长度440mm,恒温区200mm |
真空范围 |
0.1-0.001Pa |
极限真空 |
4.0*10^-4Pa |
电炉配置 |
双级旋片真空泵+分子泵 |
测量方式 |
复合真空计 |
真空规管 |
电阻规+电离规 |
射频电源 |
电源:单相50/60Hz220v±10% |
射频电源 |
加热(功率)电源:2.5KW,25A |
射频电源 |
控制柜电源空气开关:32A空气开关 |
射频电源 |
薄膜生长室温度:室温~1200℃ |
射频电源 |
射频频率:13.56MHz |
射频电源 |
射频功率输出范围:5~500W |
质量流量计 |
控制方式:质量流量计,流量显示仪(七星华创、美国Omega、日本Horiba) |
质量流量计 |
流量规格0-500SCCM/0-1SLM,(可根据客户需要配置) |
质量流量计 |
线性±1%F.S |
质量流量计 |
准确度±1%F.S |
质量流量计 |
重复精度±0.2%F.S. |
质量流量计 |
响应时间≤2sec |
质量流量计 |
耐压3MPa |
质量流量计 |
气路通道双通道(根据客户需求) |
机器电源 |
AC220V,50/60Hz;额定功率4kw |
执行标准 |
GB/T10066.1-2004、GB/T10067.4-2005 |
标准配置 |
主机1台,密封法兰1套,“O”型圈4个,石英管1根,管堵4个,坩埚钩1把,说明书、合格证、保修卡各1份 |
可选混气 |
多通道浮子、质量混气系统 |
选购件 |
炉架,各种石英、刚玉坩埚,石英管,高温手套,计算机控制软件,无纸记录仪等。 |
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